سرزمين ايرانيان- محققان MIT روش تازه اي براي ساخت تراشه هاي
سه بعدي ايجاد کرده اند. در اين روش با استفاده از نانوتوب هاي کربن و
سلول هاي حافظه PRAM طرح يک پردازشگر ترکيبي نانوالکتريکي ساختند از
ساختار پيچيده و سه بعدي پشتيباني مي کند. اين درحالي است که روش هاي توليد
تراشه فعلي فقط با ساختارهاي دوبعدي همخوان هستند.
چون ترکيب هاي مدارهاي کربن نانوتوب و حافظه
RRAM در دماي کمتر از 200 درجه سانتيگراد ساخته مي شود، توليد سه بعدي
تراشه امکانپذير شده است. اين درحالي است که تراشه هاي دو بعدي سيليکوني
در دماي هزار درجه سانتيگراد توليد مي شوند. به عبارت ديگر کاهش دماي توليد
بدان معناست که مي توان لايه هاي متعدد تراشه را بدون آسيب به لايه هاي
زيرين ساخت.
يکي ديگر از دلايل خاص بودن اين طرح،
قابليت ترکيب اين تراشه با بخش حافظه در يک پردازشگر است. به گفته
کارشناسان توليد تراشه هاي سه بعدي قدرت رايانه ها را خواهد افزود زيرا
تراشه هاي فعلي با توجه به علم فيزيک به محدوديت بر مي خورند.